Сайт новостей

Интернациональная группа ученых сделала транзистор, состоящий из 1-го атома фосфора, расположенного на кремниевой подложке. Статья ученых появилась в журнальчике Nature Nanotechnology.

Физики уже довольно издавна могут манипулировать отдельными атомами. К примеру, при помощи сканирующего туннельного микроскопа еще в 1990 году физики из IBM выложили заглавие компании атомами ксенона на никелевой подложке (соответственная статья была размещена в Nature). В рамках новейшей работы ученые также использовали сканирующий туннельный микроскоп совместно с литографией.

На первом шаге работы кремниевая поверхность подвергалась воздействию высочайшей концентрации фосфина PH3 при комнатной температуре. В силу собственных хим особенностей и высочайшей концентрации фосфин покрывал поверхность особенным образом - пара атомов водорода и атом фосфора прикреплялись к одному атому кремния, в то время как 3-ий атом водорода из молекулы цеплялся за примыкающий с начальным атом кремния.

В работе говорится, что приобретенные таким макаром димеры ориентировались тройками - в каждой тройке пары атомов кремния размещались строго друг над другом (если глядеть на поверхность сверху), при этом пары водород-кремний и водород-водород-фосфор-кремний были расставлены в матрице в шахматном порядке. Нагрев приобретенной конструкции приводит к тому, что один из атомов кремния замещается на атом фосфора.

Этот процесс регился сканирующим туннельным микроскопом, после этого нагрев прекращался. Отличительной особенностью новейшей технологии, по словам ученых, является высочайшая точность размещения атома углерода - погрешность, на самом деле, равна размеру кремниевой решетки, другими словами 3,8 ангстрем. Чтоб перевоплотить атом в транзистор, аналогичным образом на неком отдалении от него были вытравлены контакты.

К примеру, эммитер и коллектор размещались на расстояниях 9,2 и 9,6 нанометра от атома фосфора соответственно. Затвор был реализован парой контактов, перпендикулярных полосы эммитер-коллектор и расположенных на расстоянии 54 нанометра от атома фосфора каждый. Работает таковой транзистор только при очень низких (гелиевых) температурах. Сами ученые молвят, что он пока далек от практического внедрения - быстрее, это практическая демонстрация способностей миниатюризации.